Samsung продолжает удивлять: покорен 5-нм техпроцесс

    Вчера мы сообщали о том, что южнокорейская компания Samsung удивила всех новостью о том, что ведет разработку направления производства первой в мире 10-нм полупроводниковой технологии FinFET. Кроме того, компания недавно начала массовое производство 14-нм FinFET чипсетов, которые она планирует начать использовать в самое ближайшее время. Освоение 14-нм техпроцесса производства чипов позволяет Samsung вырываться далеко вперед [...]

    Samsung продолжает удивлять: покорен 5-нм техпроцесс

    Samsung

    Вчера мы сообщали о том, что южнокорейская компания Samsung удивила всех новостью о том, что ведет разработку направления производства первой в мире 10-нм полупроводниковой технологии FinFET. Кроме того, компания недавно начала массовое производство 14-нм FinFET чипсетов, которые она планирует начать использовать в самое ближайшее время. Освоение 14-нм техпроцесса производства чипов позволяет Samsung вырываться далеко вперед своих конкурентов.

    Конечно же, компании еще только предстоит «нарастить мышцы» до уровня таких гигантов в производстве чипов, как Qualcomm и Intel, однако южнокорейская компания явно готовится к полноценной битвой на равных. Но и это еще не все.

    Если вы думаете, что 10-нм техпроцесс производства и без того уже является почти фантастикой, то что вы скажете по поводу того, что на той же конференции Solid State Circuits Conference (ISSCC) в Сан-Франциско президент производства полупроводниковой продукции Ким Ки Нам заявил, что компании вполне по силам производство чипов на основе 5-нм техпроцесса, потому что «данная технология не имеет фундаментальных трудностей».

    Президент полупроводникового бизнеса южнокорейской компании также поделился о том, что инженеры компании нашли способ использования техпроцесса производства вплоть до 3,2-нм. Конечно же, тут же встает вопрос о том, какой материал Samsung в конечном итоге выберет для освоения и производства столь невероятного техпроцесса. В свое время компания Intel говорила о том, что использование кремния становится невозможным при переходе техпроцесса ниже 7-нм. В результате этого одним из возможных решений для Samsung может являться использование арсенида галлия-индия (InGaAs), который уже применяется при производстве сверхточной электроники и по сравнению с кремнием обладает преимуществом ввиду большей подвижности носителей заряда.

    Возврат к списку

     
    Текст сообщения*
    Загрузить изображение
     



    Важные новости

    В 2018 году в Хабаровске отремонтируют 93 километра дорог

    1. В 2018 году в Хабаровске отремонтируют 93 километра дорог

    В 2018 году в Хабаровске отремонтируют 93 километра дорог – в три раза больше, чем в текущем. На это потребуется более 1,6 миллиарда рублей и 160 тысяч тонн асфальта (в полтора раза больше, чем в 2017-м). Об этом РИА "27 Регион" сообщили в пресс-службе администрации г. Хабаровск.

    «Ночь в Педагогическом» уже близко

    6. «Ночь в Педагогическом» уже близко

    17 ноября Педагогический институт Тихоокеанского государственного университета откроет свои двери для хабаровчан и гостей города.Ежегодный масштабный праздник «Ночь в Педагогическом»позволит каждому желающему не только окунуться в студенческую жизнь вуза, но и вместе со студентами ТОГУ стать путешественникомво времени, вызвать соперника на настоящую дуэль, создать собственный фамильный герб и даже почувствовать себя королем на «Железном троне», выкованном в драконьем огне из тысячи мечей.


    Мифы, в кино с 16 ноября

    7. Мифы, в кино с 16 ноября

    Последняя надежда русского кино, продюсер и режиссер Федор, торчит денег за музыкальный клип браткам из 90-х.


    Актуальные новости