Samsung продолжает удивлять: покорен 5-нм техпроцесс

    Вчера мы сообщали о том, что южнокорейская компания Samsung удивила всех новостью о том, что ведет разработку направления производства первой в мире 10-нм полупроводниковой технологии FinFET. Кроме того, компания недавно начала массовое производство 14-нм FinFET чипсетов, которые она планирует начать использовать в самое ближайшее время. Освоение 14-нм техпроцесса производства чипов позволяет Samsung вырываться далеко вперед [...]

    Samsung продолжает удивлять: покорен 5-нм техпроцесс

    Samsung

    Вчера мы сообщали о том, что южнокорейская компания Samsung удивила всех новостью о том, что ведет разработку направления производства первой в мире 10-нм полупроводниковой технологии FinFET. Кроме того, компания недавно начала массовое производство 14-нм FinFET чипсетов, которые она планирует начать использовать в самое ближайшее время. Освоение 14-нм техпроцесса производства чипов позволяет Samsung вырываться далеко вперед своих конкурентов.

    Конечно же, компании еще только предстоит «нарастить мышцы» до уровня таких гигантов в производстве чипов, как Qualcomm и Intel, однако южнокорейская компания явно готовится к полноценной битвой на равных. Но и это еще не все.

    Если вы думаете, что 10-нм техпроцесс производства и без того уже является почти фантастикой, то что вы скажете по поводу того, что на той же конференции Solid State Circuits Conference (ISSCC) в Сан-Франциско президент производства полупроводниковой продукции Ким Ки Нам заявил, что компании вполне по силам производство чипов на основе 5-нм техпроцесса, потому что «данная технология не имеет фундаментальных трудностей».

    Президент полупроводникового бизнеса южнокорейской компании также поделился о том, что инженеры компании нашли способ использования техпроцесса производства вплоть до 3,2-нм. Конечно же, тут же встает вопрос о том, какой материал Samsung в конечном итоге выберет для освоения и производства столь невероятного техпроцесса. В свое время компания Intel говорила о том, что использование кремния становится невозможным при переходе техпроцесса ниже 7-нм. В результате этого одним из возможных решений для Samsung может являться использование арсенида галлия-индия (InGaAs), который уже применяется при производстве сверхточной электроники и по сравнению с кремнием обладает преимуществом ввиду большей подвижности носителей заряда.

    Возврат к списку

     
    Текст сообщения*
    Загрузить изображение
     



    Важные новости

    Главные события Хабаровска 2018 года!

    3. Главные события Хабаровска 2018 года!

    Жители Хабаровского края в социальных сетях единодушно признали главным событием года избрание нового губернатора Сергея Фургала, а вторым по значимости перенос административного центра ДФО из Хабаровска во Владивосток
    Как подготовиться к новому году

    4. Как подготовиться к новому году

    Скоро – удивительный и волшебный праздник! Это и новое платье на Новый Год, и красивые фото с новогоднего корпоратива и, конечно, новогодние подарки! Мы с нетерпением ждем Новый год 2019!


    Это Олеся. Ей 37 лет. Она спасает детей.

    8. Это Олеся. Ей 37 лет. Она спасает детей.

    Сегодня она устала – всю ночь сидела возле Дарины. Проводили сложное неврологическое обследование, пока ребенок спал. Она светлая. Очень. И легкая! Мы тепло общаемся, разговор идет на сложные темы. Сложные для меня, возможно для кого-то из вас. А для Олеси это реальность - жизнь полная любви, счастья и гармонии. 

    Актуальные новости