Samsung продолжает удивлять: покорен 5-нм техпроцесс

    Вчера мы сообщали о том, что южнокорейская компания Samsung удивила всех новостью о том, что ведет разработку направления производства первой в мире 10-нм полупроводниковой технологии FinFET. Кроме того, компания недавно начала массовое производство 14-нм FinFET чипсетов, которые она планирует начать использовать в самое ближайшее время. Освоение 14-нм техпроцесса производства чипов позволяет Samsung вырываться далеко вперед [...]

    Samsung продолжает удивлять: покорен 5-нм техпроцесс

    Samsung

    Вчера мы сообщали о том, что южнокорейская компания Samsung удивила всех новостью о том, что ведет разработку направления производства первой в мире 10-нм полупроводниковой технологии FinFET. Кроме того, компания недавно начала массовое производство 14-нм FinFET чипсетов, которые она планирует начать использовать в самое ближайшее время. Освоение 14-нм техпроцесса производства чипов позволяет Samsung вырываться далеко вперед своих конкурентов.

    Конечно же, компании еще только предстоит «нарастить мышцы» до уровня таких гигантов в производстве чипов, как Qualcomm и Intel, однако южнокорейская компания явно готовится к полноценной битвой на равных. Но и это еще не все.

    Если вы думаете, что 10-нм техпроцесс производства и без того уже является почти фантастикой, то что вы скажете по поводу того, что на той же конференции Solid State Circuits Conference (ISSCC) в Сан-Франциско президент производства полупроводниковой продукции Ким Ки Нам заявил, что компании вполне по силам производство чипов на основе 5-нм техпроцесса, потому что «данная технология не имеет фундаментальных трудностей».

    Президент полупроводникового бизнеса южнокорейской компании также поделился о том, что инженеры компании нашли способ использования техпроцесса производства вплоть до 3,2-нм. Конечно же, тут же встает вопрос о том, какой материал Samsung в конечном итоге выберет для освоения и производства столь невероятного техпроцесса. В свое время компания Intel говорила о том, что использование кремния становится невозможным при переходе техпроцесса ниже 7-нм. В результате этого одним из возможных решений для Samsung может являться использование арсенида галлия-индия (InGaAs), который уже применяется при производстве сверхточной электроники и по сравнению с кремнием обладает преимуществом ввиду большей подвижности носителей заряда.

    Возврат к списку

     
    Текст сообщения*
    Загрузить изображение
     



    Важные новости

    Хабаровская Нарния: открываем двери прямо на Бал цветов

    8. Хабаровская Нарния: открываем двери прямо на Бал цветов

    Платье в пол или костюм с бабочкой - вот и все, что потребуется вам для участия в новом весеннем балу! Вам прямо на месте дадут мастер-класс по танцам. 5 мая 2018 г. Хабаровский Дом культуры особенно невзыскателен, открывая двери даже новичкам
    «Солдат Истории»: объявляется всероссийский конкурс работ на военно-патриотическую тематику

    9. «Солдат Истории»: объявляется всероссийский конкурс работ на военно-патриотическую тематику

    Российское военно-историческое общество объявляет конкурс, желая уделять больше внимания нашему военно-историческому наследию. До 4 ноября идет прием материалов по нескольким номинациям. Победители получат целевое финансирование

    Актуальные новости